投资总额为11000万元的高速硅光集成芯片工艺关键技术研发项目-比比招标网

项目名称	高速硅光集成芯片工艺关键技术研发
建设地点	湖北省武汉市东湖新技术开发区邮科院路*号烽火创新谷精密楼-*楼	建筑面积（平方米）	****
建设单位	武汉光谷信息光电子创新中心有限公司	法定代表人	胡广文
联系人	冯欣
项目投资(万元)	*****	环保投资(万元)	***
拟投入生产运营日期	**--**
建设性质	改建
备案依据	该项目属于《建设项目环境影响评价分类管理名录》中应当填报环境影响登记表的建设项目，属于第** 电子器件制造项中其他。
建设内容及规模	改造原有**平米厂房，购置可编程相干光分析系统等测试、封装设备台/套，开展硅光集成芯片的设计、测试、封装和验证，与国内现有****晶圆厂对接开展芯片流片工艺，实现产业转化和应用示范。
主要环境影响		采取的环保措施及排放去向
	有环保措施: 少量焊接废气采取活泼性碳吸附措施后通过烟囱排放至大气
	生活污水有环保措施: 生活污水采取*级化粪池沉淀处理措施后通过市政污水管网排放至污水处理厂生产废水有环保措施: 酸碱废水采取无害化处理措施后通过专用管道排放至污水处理厂
	环保措施: 经集中收集后委托具备相应处理资质的单位进行无害化处理




承诺：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司胡广文承诺所填写各项内容真实、准确、完整，建设项目符合《建设项目环境影响登记表备案管理办法》的规定。如存在弄虚作假、隐瞒欺骗等情况及由此导致的*切后果由武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，胡广文承担全部责任。
备案回执：该项目环境影响登记表已经完成备案，备案号：********************。